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在多层菱形石墨烯上进行的最新实验在该制度中发现了许多有趣的现象,在该制度中,整数和分数量子异常的霍尔现象先前被报道。特别是在低温(T)和低施加电流下,在广泛的相图范围内可以看到“扩展”整数量子异常大厅(EIQAH)。随着电流的增加,在低t时,eiqah在通用填充物处向金属状态进行过渡,并在Ja那教填充物处向分数量子异常大厅(FQAH)状态。在Ja那教填充物处的温度升高也导致Eiqah到Ja那教状态的演变。在这里,我们提供了许多这些观察结果的解释。我们将EIQAH描述为一种结晶状态(掺杂到ν= 1状态的孔中的孔,或者是电子的异常大厅晶体),它破坏了Moir´e翻译对称性。在通用填充物上,我们展示了电流诱导的晶体顺序的繁殖转变导致与实验一致的特殊非线性电流曲线。在Ja那教填充物中,我们建议默认过渡是通过Eiqah和Jain FQAH国家之间的平衡过渡来抢占的。这种转变是由于Ja那教fQAH状态的极度极化而发生的,这使其能够在与晶体状态相比在应用的电场中有效降低其能量。我们还讨论了晶体和FQAH状态的相对熵的有限温度演变。

arxiv:2408.11818v2 [cond-mat.str-el] 8月8日2024

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